MT47H64M4BP-37E:B TR是美光科技生产的一款256Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 4的并行架构。该器件在267MHz的时钟频率下运行，实现533MT/s的数据速率，其500ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
芯片工作电压为1.7V至1.9V，采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C。这些特性使其成为对功耗、空间和可靠性有要求的网络设备、工业控制系统及嵌入式应用的理想内存解决方案。
- 型号:MT47H64M4BP-37E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:64M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12）
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