MT49H8M36BM-TI:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36位的内存组织架构。该器件工作于1.7V至1.9V的低电压范围，采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。
其核心卖点在于36位的宽数据总线接口，这不仅提供了较高的原始数据传输带宽，更关键的是其支持通过额外的数据位实现内联纠错码（ECC）功能，显著增强了数据存储的可靠性。该芯片设计用于0°C至95°C（TC）的工作温度环境，主要面向对数据完整性有严苛要求的网络通信、嵌入式控制及高端存储系统等应用领域。
- 型号:MT49H8M36BM-TI:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
- 想获取MT49H8M36BM-TI:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
