MT40A4G4VA-062E:B TR是美光科技推出的一款16Gb DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 16的并行架构。该器件工作时钟频率为1.6GHz，提供高达3200 MT/s的数据传输速率，其访问时间为19ns，写周期时间为15ns，确保了高速数据读写的低延迟特性。
该芯片采用1.2V标准供电电压，工作温度范围为0°C至95°C（TC），并封装在紧凑的78-TFBGA中，适用于表面贴装。这些参数共同构成了其高带宽、大容量与高能效的核心优势，旨在满足数据中心、网络通信及高性能嵌入式系统对内存子系统的严苛要求。
- 型号:MT40A4G4VA-062E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（10x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:4G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（10x11）
- 想获取MT40A4G4VA-062E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
