MT49H64M9BM-25:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片，采用144-TFBGA封装。其核心卖点在于高达400MHz的工作频率和20ns的快速访问时间，能够为系统提供高带宽的数据交换能力，满足实时性要求高的处理任务。
该器件工作电压为1.7V~1.9V，具备低功耗特性，并支持0°C至95°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性。其64M x 9位（含校验位）的组织结构，特别适用于注重数据完整性的嵌入式存储应用。
- 型号:MT49H64M9BM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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