MT44K32M18RB-125E:A

MT44K32M18RB-125E:A是一款由美光科技生产的576Mb容量并行接口DRAM。该器件采用32M x 18的存储组织架构，通过并联接口实现高速数据通信，其核心工作时钟频率可达800MHz，访问时间为10ns，能够提供出色的数据吞吐性能以降低系统延迟。

该芯片采用1.28V至1.42V的低电压供电，有助于优化功耗表现，其工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在苛刻环境下的可靠性。产品采用168-TBGA表面贴装封装，适合集成于对空间和性能均有要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用中，作为核心的易失性数据缓冲或程序运行内存。

• 型号:MT44K32M18RB-125E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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