MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用256M x 16位的并行接口架构。该器件核心优势在于其低电压（1.283V~1.45V）与高性能（800MHz时钟频率，1600 MT/s数据速率）的结合，在提供高速数据吞吐的同时，显著降低了系统功耗。
该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，支持卷带包装以适应自动化生产。其宽工作温度范围（-40°C至95°C）确保了在工业级和扩展温度环境下的稳定运行。尽管产品状态为停产，但其经市场验证的DDR3L技术方案，在要求高可靠性、实时数据处理和能效优化的嵌入式系统中，依然是一个成熟且性能稳健的存储选择。
- 型号:MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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