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MICRON
MT53D512M64D4SB-046 XT:E的图片

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53D512M64D4SB-046 XT:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4SB-046 XT:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4SB-046 XT:E是美光科技推出的一款32Gb容量、采用LPDDR4接口的移动SDRAM。该器件以2133MHz的高时钟频率运行,结合64位数据总线,可提供高达17GB/s的峰值数据传输带宽,有效满足现代移动和嵌入式应用对内存速度的苛刻要求。

其核心优势在于高性能与低功耗的出色结合。1.1V的低工作电压显著降低了芯片的功耗,同时其宽泛的-30°C至105°C工作温度范围确保了在各类严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为高端智能手机、平板电脑、汽车电子及工业控制等领域的理想内存解决方案。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4SB-046 XT:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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