MT41K1G4RH-107:E是美光科技生产的一款4Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以1G x 4的内部组织，提供了高速的数据存取能力，其核心工作电压低至1.283V-1.45V，专为追求低功耗与高性能平衡的设计而优化。
凭借高达933MHz的时钟频率（对应1866 MT/s的数据速率）和20ns的访问时间，该芯片能够有效提升系统数据处理带宽。其采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对空间和可靠性有严格要求的嵌入式及工业应用环境。
- 型号:MT41K1G4RH-107:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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