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MICRON
MT48H4M16LFB4-75:H TR的图片

MT48H4M16LFB4-75:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:封装:54-VFBGA(8x8)
优势价格,MT48H4M16LFB4-75:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT48H4M16LFB4-75:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT48H4M16LFB4-75:H TR是美光科技生产的一款64Mb容量、采用并联接口的移动低功耗同步DRAM(LPSDRAM)。该器件组织架构为4M字×16位,在133MHz的时钟频率下工作,提供6ns的访问时间和15ns的写周期时间,能够满足中等性能嵌入式系统对内存带宽的需求。

其核心卖点在于针对便携式应用的优化设计。芯片工作在1.7V至1.9V的低电压范围,显著降低了动态和静态功耗。采用54-VFBGA小型化表面贴装封装,适用于空间紧凑的PCB布局。产品支持0°C至70°C的商业级工作温度范围,确保了在常见消费电子环境下的可靠性。该器件符合移动SDRAM标准,适用于需要平衡性能、功耗与尺寸的各类嵌入式内存解决方案。

  • 型号:MT48H4M16LFB4-75:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:54-VFBGA(8x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:6 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:54-VFBGA
  • 供应商器件封装:54-VFBGA(8x8)
  • 想获取MT48H4M16LFB4-75:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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