MT49H8M36SJ-TI:B TR

MT49H8M36SJ-TI:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36的存储结构。该器件采用144-TFBGA表面贴装封装，以卷带（TR）形式供货，其并联接口支持高速数据吞吐，适用于对带宽有要求的嵌入式系统。

芯片核心工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗运行，其工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保在工业级温度环境下的可靠性。作为一款易失性存储器，它主要提供高速数据缓存和暂存功能。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。

• 型号:MT49H8M36SJ-TI:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• 想获取MT49H8M36SJ-TI:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料