MT49H32M18CSJ-25E:B TR

MT49H32M18CSJ-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 18的存储结构。该器件以400MHz的时钟频率和15ns的访问时间运行，通过其18位并行接口提供较高的数据带宽，适用于对数据传输速率有明确要求的场景。

芯片采用1.7V至1.9V供电，工作温度范围为0°C至95°C（TC），并以144-TFBGA形式进行表面贴装。其核心参数组合定位了该产品在网络通信、工业控制及视频处理等嵌入式系统中作为关键数据缓冲单元的用途。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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