MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR是美光科技推出的一款高集成度混合存储器，采用121-VFBGA封装。该器件在一个芯片内集成了1Gb NAND Flash（128M x 8）和512Mb LPDDR2 DRAM（32M x 16），形成了非易失性与易失性存储的紧凑组合，有效简化了系统设计并节省了PCB空间。

其LPDDR2 DRAM部分运行时钟频率为533MHz，提供了高速数据访问能力，而NAND Flash部分则确保了数据的持久化存储。芯片采用1.8V供电，支持并联接口，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，具备优异的功耗表现和环境鲁棒性。

此集成方案的核心价值在于为嵌入式系统提供了一体化的存储解决方案，兼顾了存储密度、访问速度和功耗控制，非常适合应用于对尺寸、功耗和可靠性有严苛要求的工业控制、汽车电子及物联网设备等领域。

• 型号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:121-VFBGA（8x7.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:121-WFBGA
• 供应商器件封装:121-VFBGA（8x7.5）
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