MT49H16M36BM-25:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片。其核心配置为16M深度与36位宽度，结合400MHz的高时钟频率，能够为系统提供高带宽的数据通道，满足对数据传输速率有严苛要求的应用。
该器件采用1.7V至1.9V低电压供电，工作温度范围为0°C至95°C，并以144-TFBGA小型化封装形式提供，兼顾了性能、功耗与空间布局的考量。其20ns的访问时间确保了快速的数据响应能力，适用于网络、通信及高性能计算等领域的内存子系统。
- 型号:MT49H16M36BM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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