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MICRON
MT49H64M9FM-25:B TR的图片

MT49H64M9FM-25:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
原厂封装:封装:144-BGA(18.5x11)
优势价格,MT49H64M9FM-25:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT49H64M9FM-25:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT49H64M9FM-25:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量同步DRAM,采用64M x 9位架构,内置奇偶校验功能以增强数据可靠性。其核心性能表现为400MHz的高时钟频率与20ns的快速访问时间,能够有效支持高带宽数据处理需求。

该器件工作于1.8V低电压,功耗控制良好,并采用144-TFBGA小型化封装,适合表面贴装。其宽工作温度范围(0°C至95°C)确保了在多种环境下的适用性。作为一款并联接口DRAM,它主要面向对存储速度和容量有较高要求的通信、网络及嵌入式系统应用。

  • 型号:MT49H64M9FM-25:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:144-BGA(18.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:576Mb
  • 存储器组织:64M x 9
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:144-TFBGA
  • 供应商器件封装:144-BGA(18.5x11)
  • 想获取MT49H64M9FM-25:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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