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| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR的图片

MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：IC DRAM 16GBIT 200WFBGA
原厂封装：封装:200-WFBGA（10x14.5）
优势价格，MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
  • 型号:MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA（10x14.5）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:512M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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