MT49H16M18CSJ-25:B TR

MT49H16M18CSJ-25:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM存储器芯片。该器件采用16M x 18的组织结构，提供18位宽的数据路径，其核心工作时钟频率可达400MHz，并具备20ns的访问时间，确保了高速数据存取能力。

芯片采用1.8V核心电压供电，工作温度范围为0°C至95°C（TC），采用144-TBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。其并联接口设计便于与主流处理器连接，主要面向需要中等容量、高带宽缓冲存储的应用，如网络设备、工业控制及显示系统等。需注意，该产品目前已处于停产状态。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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