MT41J128M16JT-125:K TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用128M x 16位组织架构。该器件基于DDR3技术，核心时钟频率达800MHz，实现1600MT/s的数据速率，并提供13.75ns的访问时间，适用于对数据传输带宽和响应速度有较高要求的系统。
其工作电压范围为1.425V~1.575V，采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC）。这些参数共同构成了其在网络通信、嵌入式计算等领域的应用基础，为设计人员提供了高密度、高性能的并行存储解决方案。
- 型号:MT41J128M16JT-125:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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