MT45W4MW16BCGB-708 WT

MT45W4MW16BCGB-708 WT 是一款由美光科技制造的64Mb并行接口伪静态随机存储器（PSRAM），采用54-VFBGA封装。该器件以4M x 16位的组织形式提供存储空间，核心优势在于其伪SRAM架构，内部集成刷新电路，对外呈现简易的SRAM式异步接口，无需外部刷新控制逻辑，显著简化了硬件设计。

其关键性能参数包括70ns的快速访问与写周期时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压范围，兼顾了速度与能效。产品支持-30°C至85°C的工业级工作温度，并通过表面贴装形式实现紧凑的板级集成。这些特性使其非常适合用作各类嵌入式系统、便携设备及工业控制应用中的高速数据缓冲或工作内存。

• 型号:MT45W4MW16BCGB-708 WT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
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