MT41K512M8THD-15E:D是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装和并行接口。该器件基于DDR3技术，I/O时钟频率为667MHz，可实现1333MT/s的数据传输率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其核心参数包括512M x 8的组织结构、1.35V典型工作电压以及0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围。这些特性共同构成了其在功耗、性能和环境适应性方面的平衡，适用于需要可靠、高速数据缓冲的各类电子系统。
- 型号:MT41K512M8THD-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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