MT49H16M18CBM-25:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用16M x 18的组织结构。该器件设计工作在1.8V电压环境下，支持高达400MHz的时钟频率，能够实现高速数据存取，其访问时间为20ns。
该芯片采用144引脚TFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。其宽温工作范围（0°C至95°C TC）确保了在多种环境下的可靠性。这款并联接口DRAM主要面向需要中等存储容量、高带宽及特定18位数据宽度的嵌入式系统和网络通信设备。
- 型号:MT49H16M18CBM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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