MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR

MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR是美光科技生产的一款高密度、高性能NAND闪存芯片。其核心特性在于提供了高达1.125Tb（144GB）的存储容量，并采用并行接口与333MHz时钟频率，确保了卓越的数据传输带宽，适用于对存储速度和容量均有严苛要求的应用。

该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度覆盖0°C至70°C。作为非易失性存储器，它为企业级存储、数据中心、网络设备及工业系统提供了可靠的大容量、高速数据存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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