MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，工作时钟频率为200MHz，在DDR2双倍数据速率技术下，可实现高达400MT/s的有效数据传输速率，为系统提供了高效的数据吞吐通道。

芯片采用1.8V典型供电电压，工作温度范围为0°C至85°C，并以60-FBGA封装形式提供，适用于表面贴装工艺。其关键性能参数包括600ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据读写响应能力。这些特性使其成为适用于早期网络设备、嵌入式控制系统等对内存性能和可靠性有明确要求的应用场景中的核心存储单元。

• 型号:MT47H64M8B6-5E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
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