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MICRON
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR的图片

MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:产品封装:54-VFBGA
优势价格,MT45W1MW16BAFB-856 WT TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W1MW16BAFB-856 WT TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W1MW16BAFB-856 WT TR是美光科技生产的一款16Mb(1M x 16)并行接口伪静态随机存储器(PSRAM),采用54-VFBGA卷带包装。该器件核心优势在于其1.8V低电压操作85ns的高速访问时间,在提供类似SRAM的简便接口的同时,实现了更优的存储密度与功耗表现。

其工作电压范围为1.7V至1.95V,工作温度可达-30°C至85°C,适合要求低功耗、高可靠性及宽温运行的嵌入式应用。作为一款易失性存储器,它通过内置刷新逻辑,免除了外部刷新电路需求,简化了设计复杂度。该产品主要服务于对空间和功耗有严格限制的便携式及工业电子设备。

  • 制造商产品型号:MT45W1MW16BAFB-856 WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:16Mb(1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:85ns
  • 访问时间:85ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
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