MT47H64M8SH-25E AIT:H是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的位宽组织。该器件在400MHz时钟频率下运行，提供高速并行数据访问能力，其核心访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns，确保了高效的数据吞吐性能。
芯片工作于1.7V至1.9V的低电压范围，有助于降低系统整体功耗。其采用60-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，具备良好的环境适应性。这些特性使其适用于对可靠性、功耗和空间有严格要求的嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT47H64M8SH-25E AIT:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
- 想获取MT47H64M8SH-25E AIT:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
