M29F800DB55N6E是美光科技生产的一款8Mbit（1M x 8/512K x 16）并行接口NOR闪存芯片，采用48-TFSOP表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术，提供55ns的快速访问时间和写周期时间，支持高性能的随机读取和编程操作。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级标准，确保了在宽泛环境条件下的可靠性和稳定性。该芯片适用于需要可靠存储引导代码、应用程序或配置数据的各类嵌入式系统设计。
- 型号:M29F800DB55N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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