MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E 是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用256M x 8位的组织结构与并行接口。该器件基于成熟的浮栅技术，提供非易失性数据存储解决方案。
其核心特性包括1.7V至1.95V的宽电压供电范围，以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。芯片采用63-VFBGA封装，适用于高密度表面贴装设计。
这款并行接口闪存适用于需要可靠、中等容量存储的嵌入式系统，为固件、参数及用户数据的存储提供了经过验证的硬件基础。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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