MT47H64M8B6-25E IT:D TR是美光科技生产的一款512Mbit容量DDR2 SDRAM存储器。该芯片采用64M x 8的存储结构，通过并联接口与主控制器连接，其核心优势在于高达400MHz的时钟频率，可实现800MT/s的数据传输速率，显著提升了系统的数据吞吐能力。
该器件工作于1.8V典型电压，支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。其15ns的写周期时间和400ps的访问时间参数，保证了高效的数据读写操作。产品采用60-FBGA表面贴装封装，并以卷带形式提供，适用于自动化贴装生产。
- 型号:MT47H64M8B6-25E IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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