MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR

MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR是美光科技生产的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和272-TBGA封装，专为高性能存储应用设计。其核心卖点包括基于3D NAND技术的高密度存储架构（256G x 8组织），以及支持267MHz时钟频率的高速数据传输能力，能够显著提升系统吞吐量。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，功耗优化，并具备非易失特性，确保数据在断电后持久保存。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）和表面贴装形式，使其适用于数据中心、消费电子和工业设备等多样化的嵌入式存储场景，兼顾了性能、可靠性和易用性。

• 制造商产品型号：MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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