MT41K512M8V00HWC1-N002是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器芯片。该器件采用512M x 8的存储组织架构,通过并联接口实现高速数据存取,专为需要平衡性能与功耗的现代电子系统设计。
其核心优势在于符合DDR3L标准的低电压操作,供电电压范围为1.283V至1.45V,相比标准DDR3显著降低了动态与静态功耗。同时,器件支持0°C至95°C(TC)的工业级工作温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性,适用于广泛的嵌入式与消费类应用。
- 制造商产品型号:MT41K512M8V00HWC1-N002
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
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