MT47H512M4THN-25E:H是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的并行架构。该器件运行时钟频率为400MHz，实现800MT/s的数据传输速率，其核心优势在于400ps的快速访问时间与15ns的写周期时间，能够高效处理数据读写操作。
芯片采用1.7V~1.9V供电，在性能与功耗间取得平衡，并通过63-TFBGA封装实现紧凑的板级布局。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于要求一定环境适应性的应用场景。该器件为需要可靠、中等带宽内存解决方案的嵌入式与通信系统提供了关键组件。
- 型号:MT47H512M4THN-25E:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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