MT29F4G08ABBEAH4:E是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用非易失性存储技术，确保数据在断电后持久保存。该器件工作电压为1.7V至1.95V，采用63-VFBGA表面贴装封装，适用于紧凑型嵌入式设计。
其核心优势在于提供中等容量、可靠的闪存解决方案，通过并联接口实现高效数据传输，支持商业级温度范围（0°C至70°C）。该芯片适用于需要稳定存储的工业控制、网络设备及消费电子产品，尽管已停产，但在既有系统中仍具应用价值。
- 型号:MT29F4G08ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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