MT47H512M4EB-25E:C是美光科技推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的并行架构。该器件基于成熟的DDR2技术，在400MHz时钟频率下可实现高达800MT/s的数据传输速率，其访问时间低至400ps，写周期时间为15ns，能够为系统提供高效的数据吞吐能力。
该芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，确保了在商业级应用环境中的稳定性和可靠性。其并联接口和标准DDR2规范使其易于集成到各类需要中等容量、高性能内存的嵌入式设计中。
- 型号:MT47H512M4EB-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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