MT40A512M8RH-083E AAT:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 8的并行架构。该器件以卷带（TR）形式提供，采用78-TFBGA表面贴装封装，核心优势在于其高达1.2GHz的时钟频率，能够实现高速数据传输，满足现代计算系统对内存带宽的迫切需求。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升性能的同时兼顾能效。此外，该芯片支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，具备出色的环境适应性，适用于要求严苛的工业与扩展温度应用场景，为网络、服务器及嵌入式系统提供了可靠的高性能内存解决方案。
- 型号:MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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