MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR是美光科技推出的一款高集成度存储器芯片,采用137-VFBGA封装,以卷带形式提供。该器件创新性地将4Gb NAND闪存与4Gb移动LPDRAM集成于单一封装内,形成复合存储解决方案,其并联接口时钟频率达200MHz,工作电压范围为1.7V至1.95V。
此设计核心优势在于空间节省与功耗优化,NAND部分用于非易失性数据存储,而LPDRAM作为高速运行内存,协同工作以满足移动及嵌入式设备对紧凑布局和能效的严格要求。其宽工作温度范围(-25°C至85°C)进一步确保了在各类环境下的适用性与可靠性。
- 制造商产品型号:MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:FLASH,RAM
- 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb(256M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:137-VFBGA
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