MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M是美光科技（Micron Technology）推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位的并行架构。该器件基于成熟的DDR2技术，在1.8V典型电压下工作，时钟频率达到400MHz，可实现每秒800兆次传输（800MT/s）的数据速率，提供高效的数据吞吐能力。

其关键参数包括15ns的写周期时间和400ps的访问时间，确保了快速的数据读写响应。芯片采用63-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业及工业级环境。该产品作为经典的并行DRAM解决方案，曾为需要可靠、中等带宽内存的嵌入式系统设计提供了稳定的核心存储支持。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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