MT41J256M8HX-125:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率可达800MHz，实现高达1600MT/s的数据传输速率，其13.75ns的访问时间为系统提供了快速的数据响应能力。
芯片工作在1.5V（±5%）的标准DDR3电压下，功耗控制良好，并支持0°C至95°C的宽工作温度范围，适应多种环境要求。其采用78-TFBGA表面贴装封装，集成度高，便于在空间受限的PCB上进行布局。这款存储器适用于对内存带宽和容量有明确需求的各类嵌入式及通信设备。
- 型号:MT41J256M8HX-125:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT41J256M8HX-125:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
