MT28EW01GABA1HJS-0SIT是美光科技生产的一款1Gb容量并行NOR闪存芯片,采用56-TSOP封装。该器件提供128M x 8位或64M x 16位的灵活组织方式,支持宽电压范围(2.7V-3.6V)供电,并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定运行。
其核心优势在于快速的访问性能,访问时间仅为95ns,字/页写入周期时间低至60ns,这为需要快速代码执行的嵌入式应用提供了关键支持。作为非易失性存储器,它适用于存储启动代码、应用程序固件以及需要频繁快速读取的系统参数,是工业控制、汽车电子和网络设备等领域的可靠存储解决方案。
- 型号:MT28EW01GABA1HJS-0SIT
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8,64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:60ns
- 访问时间:95 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:56-TSOP
- 想获取MT28EW01GABA1HJS-0SIT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料