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MICRON
MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR的图片

MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
原厂封装:封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
优势价格,MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR是美光科技生产的一款64Gb容量、1866MHz时钟频率的移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用1.1V低电压供电,旨在为移动和嵌入式应用提供高带宽与低功耗的核心内存解决方案。

其核心卖点在于结合了大容量(64Gb)高速度(1866MHz),并凭借LPDDR4技术实现了优异的能效比。采用556-VFBGA小型化封装,适合空间紧凑的设计,工作温度范围宽达-30°C至85°C,保障了在各种环境下的稳定性。

  • 型号:MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:1G x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:556-VFBGA
  • 供应商器件封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
  • 想获取MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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