MT47H256M4HQ-3:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器，采用256M x 4的组织结构。该器件基于并联接口，核心时钟频率为333MHz，凭借DDR技术实现高达667MT/s的数据传输速率，其450ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高效的数据处理能力。
芯片工作在1.8V标准电压下，采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业级应用环境。其特性包括高速同步操作、可编程突发长度与延迟，为需要稳定、高带宽内存子系统的设计提供了成熟的解决方案。
- 型号:MT47H256M4HQ-3:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
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