MT29F2G16ABBEAHC:E TR

MT29F2G16ABBEAHC:E TR 是美光科技生产的一款2Gb NAND闪存芯片，采用并联接口和128M x 16位存储结构，提供非易失性数据存储解决方案。该器件工作电压为1.7V至1.95V，支持商业级温度范围（0°C至70°C），适用于低功耗嵌入式系统。

芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，具备典型的NAND闪存功能，如页编程和块擦除。需要注意的是，该产品目前已停产，建议在设计中考虑替代选项或通过授权渠道获取库存。

• 型号:MT29F2G16ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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