MT29F4G08ABAEAWP:E TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和48-TFSOP封装。该器件基于非易失性闪存技术，工作电压范围为2.7V至3.6V，可在0°C至70°C的环境温度下稳定运行，适用于表面贴装设计。
其核心优势在于提供了高密度的数据存储解决方案，并凭借并联接口实现高效的数据传输。这款有源状态的存储器部件以卷带或剪切带形式供货，主要面向需要可靠、大容量且成本优化的固件与数据存储应用的各类电子系统。
- 型号:MT29F4G08ABAEAWP:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F4G08ABAEAWP:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
