MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR

MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，组织架构为128M x 8位。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失，为核心系统提供了可靠的数据存储基础。

其关键参数包括1.7V至1.95V的宽工作电压范围，支持低功耗设计，以及-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在恶劣环境下的稳定性和耐用性。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，适合高密度、自动化的现代电子组装流程。

• 制造商产品型号：MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（128M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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