MT47H16M16BG-5E:B TR是美光科技生产的一款256Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用16M x 16位的组织架构。该器件基于成熟的DDR2技术，在200MHz时钟频率下运行，实现高达400MT/s的数据传输速率，其关键时序参数包括600ps的访问时间和15ns的写周期时间，提供了高效的数据吞吐能力。
芯片采用1.8V核心电压设计（工作范围1.7V~1.9V），功耗表现均衡，并具备0°C至85°C的工业标准工作温度范围。其物理接口为并行式，采用节省空间的84-FBGA表面贴装封装，便于集成到高密度PCB布局中。这款器件适用于需要稳定、中等性能内存解决方案的各类嵌入式与通信系统。
- 型号:MT47H16M16BG-5E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-FBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
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