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MT8VDDT1664HG-265B2的图片

MT8VDDT1664HG-265B2

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
原厂封装:200-SODIMM
优势价格,MT8VDDT1664HG-265B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT1664HG-265B2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT1664HG-265B2是美光科技推出的一款128MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装形式。该模块设计用于空间受限的嵌入式及移动计算平台,其核心特性在于提供了266MT/s的数据传输速率,能够在紧凑的物理尺寸下实现高效的双倍数据速率访问。

该模块集成了多颗DRAM芯片,总容量为128MB,适用于作为系统主内存或专用缓存。其标准化的SODIMM接口确保了广泛的硬件兼容性和便捷的安装方式,而板载SPD芯片则支持即插即用的自动配置功能。这些特性使其成为工业控制、网络设备、便携式仪器等对可靠性和尺寸有明确要求的应用场景的理想内存解决方案。

  • Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT1664HG-265B2
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 128MB
  • 速度: 266MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
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