MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。该芯片基于非易失存储技术，提供32G x 8的存储结构，支持333MHz时钟频率，确保高速数据访问能力。
其工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，适用于表面贴装应用。这款芯片设计用于满足大容量、高性能的存储需求，为各类电子系统提供可靠的闪存解决方案。
- 制造商产品型号：MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：闪存 - NAND
- 存储容量：256Gb（32G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：333MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
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