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MICRON
MT8VDDT6464HG-40BD1的图片

MT8VDDT6464HG-40BD1

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:200-SODIMM
优势价格,MT8VDDT6464HG-40BD1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HG-40BD1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HG-40BD1是美光科技推出的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装。该模块的核心运行频率为200MHz,得益于DDR技术,其有效数据传输速率可达400MT/s,为系统提供了显著提升的内存带宽。

该产品严格遵循行业规范,具备稳定的电气性能和兼容性,主要设计用于空间受限的嵌入式系统与移动计算设备。其参数配置平衡了性能、功耗与成本,适用于需要可靠内存扩展的工业控制、网络通信及便携式计算应用场景。

  • Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HG-40BD1
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 200MHz
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
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