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MICRON
MT47H128M4CF-187E:G的图片

MT47H128M4CF-187E:G

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H128M4CF-187E:G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M4CF-187E:G的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M4CF-187E:G是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 4的存储结构。该器件基于并联接口,时钟频率达到533MHz,能够实现高速数据同步传输,其访问时间低至350ps,写周期时间为15ns,在1.8V左右的工作电压下表现出优异的时序性能。

芯片采用60-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至85°C,适用于商业及工业级嵌入式系统环境。其主要为需要中等存储带宽和容量的应用提供数据缓冲解决方案,例如网络基础设施和工业控制设备。需要注意的是,该产品目前已停产,适用于存量维护或特定兼容性设计场景。

  • 型号:MT47H128M4CF-187E:G
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:128M x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:350 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47H128M4CF-187E:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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