MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR是美光科技生产的一款4Tb容量并行NAND闪存芯片，采用非易失性存储技术，组织为512G x 8位结构。该器件支持333MHz时钟频率，通过并联接口实现高速数据传输，适用于数据密集型应用。
其工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，确保在商业环境中稳定运行。芯片以卷带形式提供，便于批量生产集成，目前状态为不适用于新设计，适合现有系统维护或升级项目。
- 型号:MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Tb
- 存储器组织:512G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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