MT49H32M18SJ-18:B TR

MT49H32M18SJ-18:B TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款576Mb容量并行DRAM存储器，采用32M x 18的组织结构。该器件以最高533MHz的时钟频率和15ns的访问时间，提供了高速的数据读写能力，其18位宽并行接口确保了高带宽的数据传输性能。

该芯片采用1.7V至1.9V的低电压供电，支持0°C至95°C（TC）的工业级工作温度范围，并采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式设计。其核心卖点在于将适中的存储容量、较高的运行速度与稳定的宽温工作特性相结合，适用于需要快速数据缓冲和处理的应用环境。

• 型号:MT49H32M18SJ-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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