MT46V64M8TG-75E:D是一款由美光科技制造的512Mb DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件基于DDR技术，在133MHz的时钟频率下可实现高达266MT/s的数据传输速率，显著提升了数据吞吐能力。
其核心特性包括2.3V至2.7V的低工作电压范围，有助于实现更优的功耗表现，以及750ps的快速访问时间。芯片采用标准的66引脚TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。这些参数共同定义了其作为一款高性能、并行接口易失性存储器的市场定位。
- 型号:MT46V64M8TG-75E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:66-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
- 供应商器件封装:66-TSOP
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